ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDPF51N25
Datasheet下载- 型号： FDPF51N25
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF51N25由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF51N25价格参考。Fairchild SemiconductorFDPF51N25封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 250V 51A（Tc） 38W（Tc） TO-220F。您可以下载FDPF51N25参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDPF51N25 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDPF51N25是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体为N沟道增强型功率MOSFET。这款器件具有250V的漏源极击穿电压（VDS），适用于多种高压应用场合。 应用场景： 1. 电源管理： - FDPF51N25广泛应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和不间断电源（UPS）等设备中，用于高效地控制电流流动和电压转换。 - 在这些应用中，其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少传导损耗，提高整体效率。 2. 电机驱动： - 该MOSFET适合用于驱动各种类型的电机，如步进电机、无刷直流电机（BLDC）和伺服电机。 - 它能够承受较高的电压和电流，确保在电机启动、运行和制动过程中稳定可靠。 3. 工业自动化： - 在工业控制系统中，FDPF51N25可用于继电器替代、固态继电器（SSR）和电磁阀驱动等场景。 - 其快速开关特性使其能够在高频率下工作，适应复杂的工业环境需求。 4. 汽车电子： - FDPF51N25符合AEC-Q101标准，适用于汽车电子系统中的负载切换、电池管理系统（BMS）和电动助力转向（EPS）等领域。 - 高可靠性和耐高温性能保证了其在恶劣车用环境下长期稳定工作。 5. 消费类电子产品： - 包括笔记本电脑适配器、平板电脑充电器以及智能家居设备在内的消费类产品也常使用此类MOSFET进行电源管理和信号传输控制。 - 小巧紧凑的封装形式便于集成到小型化设计中。 总之，FDPF51N25凭借其出色的电气参数和广泛的适用性，在众多领域发挥着重要作用，特别是在需要高效能、高可靠性的电力转换与控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FMOSFET 250V N-Channel MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF51N25UniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDPF51N25 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 38 W |
| Pd-功率耗散 | 38 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 465 ns |
| 下降时间 | 130 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3410pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 25.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 98 ns |
| 功率-最大值 | 38W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 43 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 51A （Tc） |
| 系列 | FDPF51N25 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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