ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PUMD10,115
Datasheet下载- 型号： PUMD10,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMD10,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMD10,115价格参考￥0.10-￥0.10。NXP SemiconductorsPUMD10,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMD10,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PUMD10,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMD10,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内部集成了两个通过电阻偏置的 NPN 晶体管。该器件采用小型 SOT-363 封装，具有高集成度和节省空间的特点，适用于对电路板空间要求严格的便携式电子设备。 典型应用场景包括： 1. 信号切换与逻辑接口：常用于数字电路中实现电平转换或驱动逻辑门电路，如微控制器与外围器件之间的信号缓冲与隔离。 2. LED 驱动：在低功率 LED 显示屏或指示灯控制中，作为开关元件提供稳定电流控制。 3. 便携式电子产品：广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电源管理、传感器信号处理及小型负载控制。 4. 消费类电子：如家用电器控制面板、遥控器、无线耳机等，实现小信号放大或开关功能。 5. 工业与汽车电子：用于传感器接口、继电器驱动或车载信息系统的信号调节模块，具备良好的温度稳定性和可靠性。 由于其内置偏置电阻，简化了外部电路设计，减少了元器件数量，提高了系统可靠性，特别适合自动化贴片生产的高密度 PCB 设计。同时，PUMD10,115 具有低导通电阻和快速开关特性，有助于降低功耗，提升能效。 综上，该器件是一款高性价比、高可靠性的通用型预偏置 BJT 阵列，适用于多种需要小型化和低功耗解决方案的电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 50V 100MA 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMD10,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMD10,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-10322-6 |
| 典型电阻器比率 | 0.047 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PUMD10 T/R |
| 频率-跃迁 | 230MHz |
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