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Datasheet下载- 型号： IRF7470TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRF7470TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7470TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7470TRPBF价格参考。International RectifierIRF7470TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 40V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载IRF7470TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7470TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7470TRPBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场合。该器件采用先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），可减少导通损耗，提升系统效率。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电源开关和负载管理；电池供电系统中的电源分配与保护；DC-DC转换器，尤其适用于同步整流和降压（Buck）电路；各类电源管理系统中的高端或低端开关应用；以及电机驱动、LED驱动和热插拔控制器等。 IRF7470TRPBF 采用小型化封装（如PG-TSDSO-8），适合空间受限的高密度PCB设计，同时具备良好的热性能和可靠性，可在工业级温度范围内稳定工作。其优化的栅极电荷特性有助于降低开关损耗，提高高频工作效率，因此也适用于开关频率较高的电源设计。 总之，IRF7470TRPBF 凭借其低导通电阻、高效率和紧凑封装，特别适合对能效和空间要求严苛的消费电子、工业控制和通信设备中的低电压功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOICMOSFET MOSFT 40V 11A 13mOhm 29nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7470TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7470TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 29 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 上升时间 | 1.9 ns |
| 下降时间 | 3.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3430pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7470PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 13 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 29 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 27 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7470.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7470.spi |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
