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产品简介:
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NTD32N06LT4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其应用场景广泛,主要适用于以下领域: 1. 电源管理: NTD32N06LT4G 的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 18 mΩ @ Vgs = 10V)使其非常适合用于高效能的电源管理系统,例如 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、电池充电器等。它能够减少功率损耗,提高转换效率。 2. 电机驱动: 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。其耐压能力(60V)和低导通电阻特性使其在低电压电机应用中表现出色。 3. 负载开关: 在消费电子设备中,如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,NTD32N06LT4G 可用作负载开关,实现对不同功能模块的动态供电管理,从而延长电池寿命。 4. 保护电路: 它可以用于过流保护、短路保护和反向电流保护电路中。例如,在太阳能电池板或锂电池组中,该 MOSFET 可以防止因异常情况导致的电流反灌或过载损坏。 5. 音频功放: 在 D 类音频放大器中,NTD32N06LT4G 可作为输出级开关元件,提供高效的信号放大功能,同时保持较低的热耗散。 6. 汽车电子: 由于其高可靠性和良好的电气性能,这款 MOSFET 也可应用于汽车电子领域,如电动窗、座椅调节、雨刷控制以及 LED 照明系统中。 总之,NTD32N06LT4G 凭借其出色的电气参数和稳定性,成为众多低至中等功率应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 32A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD32N06LT4G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 28 毫欧 @ 16A,5V |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
其它名称 | NTD32N06LT4GOS |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Ta) |