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  • 型号: IXFB40N110P
  • 制造商: IXYS
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFB40N110P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFB40N110P价格参考。IXYSIXFB40N110P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFB40N110P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFB40N110P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFB40N110P是一款高压、高功率的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单N沟道功率MOSFET。其主要参数包括耐压高达1100V,连续漏极电流可达40A,适用于高电压和中等频率的开关应用。

该器件广泛应用于需要高耐压和高可靠性的电力电子系统中。典型应用场景包括:

1. 高压电源系统:如工业用开关电源(SMPS)、直流高压电源模块,适用于电信设备、医疗电源等对稳定性和绝缘性能要求较高的场合。

2. 逆变器与UPS:在不间断电源(UPS)、太阳能逆变器或工业逆变装置中,用于DC-AC转换的主开关元件,能够承受高母线电压并实现高效能量转换。

3. 电机驱动:适用于高压交流或直流电机控制,尤其在工业自动化、电动工具及大型家电中作为功率开关使用。

4. 电焊机与感应加热设备:因其具备良好的开关特性和高温工作能力,常用于高频电焊机、电磁炉、感应加热电源等高功率密度设备中。

5. 脉冲功率系统:如激光驱动器、雷达调制器等需要快速开关和承受瞬态高压的特殊工业或军用设备。

IXFB40N110P采用TO-268或类似大功率封装,具有良好的散热性能和电气隔离能力,适合在严苛环境下长期运行。其高雪崩耐量和抗干扰能力也增强了系统的可靠性。总体而言,该MOSFET适用于高电压、中高功率的工业级和专业级电力控制应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXFB40N110P

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

Polar™ HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

6.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

19000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

310nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

260 毫欧 @ 20A,10V

供应商器件封装

PLUS264™

功率-最大值

1250W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-264-3,TO-264AA

标准包装

25

漏源极电压(Vdss)

1100V(1.1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A (Tc)

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