Datasheet下载- 型号： IXFB40N110P
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFB40N110P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFB40N110P价格参考。IXYSIXFB40N110P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFB40N110P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFB40N110P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFB40N110P是一款高压、高功率的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单N沟道功率MOSFET。其主要参数包括耐压高达1100V，连续漏极电流可达40A，适用于高电压和中等频率的开关应用。 该器件广泛应用于需要高耐压和高可靠性的电力电子系统中。典型应用场景包括： 1. 高压电源系统：如工业用开关电源（SMPS）、直流高压电源模块，适用于电信设备、医疗电源等对稳定性和绝缘性能要求较高的场合。 2. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）、太阳能逆变器或工业逆变装置中，用于DC-AC转换的主开关元件，能够承受高母线电压并实现高效能量转换。 3. 电机驱动：适用于高压交流或直流电机控制，尤其在工业自动化、电动工具及大型家电中作为功率开关使用。 4. 电焊机与感应加热设备：因其具备良好的开关特性和高温工作能力，常用于高频电焊机、电磁炉、感应加热电源等高功率密度设备中。 5. 脉冲功率系统：如激光驱动器、雷达调制器等需要快速开关和承受瞬态高压的特殊工业或军用设备。 IXFB40N110P采用TO-268或类似大功率封装，具有良好的散热性能和电气隔离能力，适合在严苛环境下长期运行。其高雪崩耐量和抗干扰能力也增强了系统的可靠性。总体而言，该MOSFET适用于高电压、中高功率的工业级和专业级电力控制应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFB40N110P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Polar™ HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 19000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 310nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 260 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | PLUS264™ |
| 功率-最大值 | 1250W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1100V（1.1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
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