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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRLL014N由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AUIRLL014N价格参考。International RectifierAUIRLL014N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载AUIRLL014N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AUIRLL014N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AUIRLL014N 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 汽车电子 - 车载电源管理:用于汽车电子系统中的电源开关和电压调节,例如车载充电器、DC-DC 转换器等。 - 电机驱动:适用于小型电机控制,如电动车窗、雨刷、座椅调节、风扇等。 - LED 照明:在汽车 LED 灯光系统中用作开关器件,控制灯光的亮度和开关状态。 2. 工业应用 - 开关电源 (SMPS):作为功率开关,用于高效能的开关模式电源设计。 - 逆变器和转换器:在光伏逆变器、UPS(不间断电源)和其他电力转换设备中,实现高效的电能转换。 - 负载开关:用于工业自动化设备中的负载控制,确保电路的安全性和稳定性。 3. 消费类电子产品 - 电池管理系统 (BMS):用于保护锂电池或其他可充电电池免受过充、过放或短路的影响。 - 便携式设备:如移动电源、笔记本电脑适配器等,提供高效的小信号开关功能。 4. 通信设备 - 基站和网络设备:在通信设备的电源模块中,用于高效功率传输和信号切换。 - 信号调理:用于低噪声、高效率的信号处理电路。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):降低功耗,提高效率。 - 高可靠性:适合高温和恶劣环境下的工作,符合汽车级标准。 - 快速开关速度:减少开关损耗,适用于高频应用。 综上所述,AUIRLL014N 主要应用于需要高效功率转换、低损耗和高可靠性的场景,尤其是在汽车和工业领域中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223MOSFET 55V, Logic level 2A 140 mOhm Auto MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier AUIRLL014N* |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | AUIRLL014N |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | 9.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.5 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 2 V |
| 上升时间 | 4.9 ns |
| 下降时间 | 2.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 2A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 140 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 80 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 80 |
| 正向跨导-最小值 | 2.3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |