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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTS2101PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTS2101PT1G价格参考¥0.83-¥3.32。ON SemiconductorNTS2101PT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 8V 1.4A(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3(SOT323)。您可以下载NTS2101PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTS2101PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTS2101PT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道MOSFET,属于小信号MOSFET类别,广泛应用于低电压、低功耗的开关场景。其主要特点包括低导通电阻、小封装(如SOT-23)、高开关速度和良好的热稳定性,适合在便携式电子设备中使用。 典型应用场景包括: 1. 电源管理开关:用于电池供电设备中的负载开关,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,实现对不同模块的上电/断电控制,降低待机功耗。 2. DC-DC转换器:在同步整流或驱动电路中作为高效开关元件,提升电源转换效率。 3. 信号切换:用于模拟或数字信号路径的切换,如音频开关、传感器使能控制等。 4. LED驱动:在低功率LED指示灯或背光控制中作为开关使用。 5. 电机驱动与继电器驱动:适用于微型电机或电磁继电器的控制电路,提供快速响应和低损耗操作。 由于其采用无铅环保封装并符合RoHS标准,也适用于对环保要求较高的消费类电子产品。NTS2101PT1G凭借高可靠性与紧凑设计,成为现代小型化电子系统中理想的开关器件选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323MOSFET -8V -1.4A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1.4 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTS2101PT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTS2101PT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.29 W |
| Pd-功率耗散 | 290 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 117 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 117 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 8 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 8 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 640pF @ 8V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 1A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
| 其它名称 | NTS2101PT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 290mW |
| 功率耗散 | 0.29 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 117 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 8 V |
| 漏极连续电流 | - 1.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.4A (Ta) |
| 系列 | NTS2101P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 8 V |