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Datasheet下载- 型号： IRF7319TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7319TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7319TRPBF价格参考￥2.26-￥2.43。International RectifierIRF7319TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7319TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7319TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7319TRPBF 是一款双通道、N 沟道功率 MOSFET 阵列，采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率特性。该器件广泛应用于需要小型化、高能效和高可靠性的电子系统中。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于同步降压转换器、DC-DC 转换器中的开关元件，适用于笔记本电脑、主板、显卡等设备的电压调节模块（VRM），提供高效电能转换。 2. 负载开关与电源开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中控制电源通断，降低待机功耗，提高能效。 3. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，常见于打印机、扫描仪、家用电器等消费类电子产品。 4. 热插拔与过流保护电路：在服务器、通信设备中作为电源路径控制开关，防止浪涌电流损坏系统。 5. 电池供电系统：在电池管理系统（BMS）或充电管理电路中，用于充放电通路的控制，提升系统安全性与效率。 IRF7319TRPBF 采用小型 SOT-23 封装，适合空间受限的高密度 PCB 设计，同时具备良好的热性能和电气稳定性，适用于工业控制、消费电子、通信设备及汽车电子中的辅助电源系统。其高集成度和可靠性使其成为现代低电压、大电流应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 8SOICMOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7319TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7319TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 22 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 46 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 46 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 29 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | *IRF7319TRPBF |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 46 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 22 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 6.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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