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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD2N40TF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD2N40TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD2N40TF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQD2N40TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD2N40TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD2N40TF 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,主要用于电源管理和功率开关应用。其应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:适用于笔记本电脑、手机等设备的AC-DC电源转换电路,作为开关元件提升效率。 2. DC-DC转换器:用于各类电子设备中的电压调节模块,如服务器、通信设备和工业控制系统。 3. 电机驱动电路:在小型电机控制中作为功率开关,用于电动车、家电或工业自动化设备。 4. 负载开关与继电器替代:用于高可靠性开关电路,如电池管理系统或电源分配系统。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源或太阳能逆变器中,用于实现高效的能量转换。 该器件具有低导通电阻、高耐压(400V)和良好热性能,适合高频开关应用,有助于提升系统效率与可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQD2N40TF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.8 欧姆 @ 700mA,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 400V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.4A (Tc) |