ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > DMP1022UFDE-7
Datasheet下载- 型号： DMP1022UFDE-7
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP1022UFDE-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP1022UFDE-7价格参考。Diodes Inc.DMP1022UFDE-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 9.1A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）。您可以下载DMP1022UFDE-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMP1022UFDE-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFNMOSFET 12V P-CH ENH Mode 16mOhm 4.5V -9.1A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | - 11.2 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP1022UFDE-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMP1022UFDE-7 |
| Pd-PowerDissipation | 2.03 W |
| Pd-功率耗散 | 2.03 W |
| Qg-GateCharge | 28.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 28.4 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 46 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | + /- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | + /- 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.8 V |
| 上升时间 | 28 ns |
| 下降时间 | 93 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2953pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42.6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-UDFN2020（2x2） |
| 其它名称 | DMP1022UFDE-7DICT |
| 典型关闭延迟时间 | 117 ns |
| 功率-最大值 | 660mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 46 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | UDFN2020-6 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 12 V |
| 漏极连续电流 | - 11.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.1A （Ta） |
| 系列 | DMP1022 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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