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Datasheet下载- 型号： DMP1022UFDE-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP1022UFDE-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP1022UFDE-7价格参考。Diodes Inc.DMP1022UFDE-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 9.1A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）。您可以下载DMP1022UFDE-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMP1022UFDE-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMP1022UFDE-7是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于低电压、低功耗的场景中。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 DMP1022UFDE-7具有较低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在电源管理应用中表现出色，尤其是在低压降开关电源（DC-DC转换器）和负载开关中。它的低导通电阻可以减少功率损耗，提高效率，特别适合用于移动设备、便携式电子产品等对能效要求较高的场合。 2. 电池管理系统 该MOSFET适用于电池管理系统（BMS），特别是在锂电池保护电路中。它可以作为充放电控制的关键元件，确保电池在安全范围内工作，防止过充或过放。此外，它还可以用于电池组中的均衡电路，帮助延长电池寿命。 3. 消费电子 DMP1022UFDE-7广泛应用于各种消费电子产品，如智能手机、平板电脑、智能手表等。这些设备通常需要高效的电源管理和快速响应的开关电路，而这款MOSFET能够满足这些需求。它的小封装（DFN1006-2）使其非常适合紧凑型设计，节省空间。 4. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，DMP1022UFDE-7可以用作驱动信号的开关元件。它能够承受一定的电流，并且具有较快的开关速度，适合用于微型风扇、振动马达等低功耗电机的控制。 5. 信号切换 在信号切换电路中，DMP1022UFDE-7可以作为开关使用，控制信号的传输路径。由于其低栅极电荷（Qg），它能够在高速切换时保持较低的开关损耗，适合用于音频设备、传感器接口等需要快速响应的应用。 6. 汽车电子 尽管DMP1022UFDE-7主要用于消费电子领域，但它也可以应用于汽车电子中的某些低功耗模块，如车内照明控制、传感器接口等。其高可靠性和稳定性使得它能够在较为恶劣的环境中正常工作。 总的来说，DMP1022UFDE-7凭借其低导通电阻、小封装和高效能，成为许多低电压、低功耗应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFNMOSFET 12V P-CH ENH Mode 16mOhm 4.5V -9.1A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | - 11.2 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP1022UFDE-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMP1022UFDE-7 |
| Pd-PowerDissipation | 2.03 W |
| Pd-功率耗散 | 2.03 W |
| Qg-GateCharge | 28.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 28.4 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 46 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | + /- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | + /- 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.8 V |
| 上升时间 | 28 ns |
| 下降时间 | 93 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2953pF @ 4V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42.6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 8.2A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-UDFN2020（2x2） |
| 其它名称 | DMP1022UFDE-7DICT |
| 典型关闭延迟时间 | 117 ns |
| 功率-最大值 | 660mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 46 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | UDFN2020-6 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 12 V |
| 漏极连续电流 | - 11.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.1A （Ta） |
| 系列 | DMP1022 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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