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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4332PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4332PBF价格参考。International RectifierIRFB4332PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFB4332PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4332PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFB4332PBF是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。该型号的主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): IRFB4332PBF适用于各种开关电源设计,例如AC-DC适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力使其能够高效地进行高频开关操作,降低功耗并提高系统效率。 2. 电机驱动: 该器件可用于小型电机驱动应用,例如家用电器、风扇、泵或无人机的无刷直流电机(BLDC)控制器。其强大的电流承载能力和快速开关特性非常适合这些场景。 3. 负载切换与保护: 在汽车电子或工业控制领域中,IRFB4332PBF可以用作负载切换开关,实现对电路的精确控制和保护功能。例如,在汽车电子系统中,用于启动控制、电池管理或负载均衡。 4. 逆变器和太阳能微逆变器: 这款MOSFET适合用在小型逆变器中,尤其是在分布式光伏发电系统中的微逆变器。它能够高效地将直流电转换为交流电,支持可再生能源的应用。 5. LED驱动器: 在高功率LED照明系统中,IRFB4332PBF可以作为开关元件,用于PWM调光或恒流控制,确保LED亮度稳定且节能。 6. 音频放大器: 在某些D类音频放大器设计中,这款MOSFET可用作输出级开关,提供高效的音频信号放大,同时减少热量产生。 总结来说,IRFB4332PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子以及绿色能源等领域,满足不同场景下的高效功率转换需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 250V 60A TO-220ABMOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4332PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFB4332PBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 390 W |
Pd-功率耗散 | 390 W |
Qg-GateCharge | 99 nC |
Qg-栅极电荷 | 99 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 33 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5860pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 33 毫欧 @ 35A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 390W |
功率耗散 | 390 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 33 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极电荷Qg | 99 nC |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 100 S |
汲极/源极击穿电压 | 250 V |
漏极连续电流 | 60 A |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb4332pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb4332pbf.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 30 V |