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  • 型号: IRFB4332PBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4332PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4332PBF价格参考。International RectifierIRFB4332PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFB4332PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4332PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFB4332PBF是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。该型号的主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):  
   IRFB4332PBF适用于各种开关电源设计,例如AC-DC适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力使其能够高效地进行高频开关操作,降低功耗并提高系统效率。

2. 电机驱动:  
   该器件可用于小型电机驱动应用,例如家用电器、风扇、泵或无人机的无刷直流电机(BLDC)控制器。其强大的电流承载能力和快速开关特性非常适合这些场景。

3. 负载切换与保护:  
   在汽车电子或工业控制领域中,IRFB4332PBF可以用作负载切换开关,实现对电路的精确控制和保护功能。例如,在汽车电子系统中,用于启动控制、电池管理或负载均衡。

4. 逆变器和太阳能微逆变器:  
   这款MOSFET适合用在小型逆变器中,尤其是在分布式光伏发电系统中的微逆变器。它能够高效地将直流电转换为交流电,支持可再生能源的应用。

5. LED驱动器:  
   在高功率LED照明系统中,IRFB4332PBF可以作为开关元件,用于PWM调光或恒流控制,确保LED亮度稳定且节能。

6. 音频放大器:  
   在某些D类音频放大器设计中,这款MOSFET可用作输出级开关,提供高效的音频信号放大,同时减少热量产生。

总结来说,IRFB4332PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子以及绿色能源等领域,满足不同场景下的高效功率转换需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 250V 60A TO-220ABMOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

60 A

Id-连续漏极电流

60 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4332PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFB4332PBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

390 W

Pd-功率耗散

390 W

Qg-GateCharge

99 nC

Qg-栅极电荷

99 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

33 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

33 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

250 V

Vds-漏源极击穿电压

250 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5860pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

150nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

33 毫欧 @ 35A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

功率-最大值

390W

功率耗散

390 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

33 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 40 C

栅极电荷Qg

99 nC

标准包装

50

正向跨导-最小值

100 S

汲极/源极击穿电压

250 V

漏极连续电流

60 A

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

60A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfb4332pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb4332pbf.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 30 V

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