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产品简介:
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STMicroelectronics(意法半导体)的STP21NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。 主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等,因其高耐压(600V)和较大导通电流能力,适合用于电源适配器、充电器、服务器电源等。 2. 电机驱动:可用于直流电机、步进电机的控制电路中,作为功率开关元件,实现对电机启停、转速和方向的控制。 3. 照明系统:适用于LED照明、镇流器等照明设备的电源控制,特别是在需要调光或节能控制的场合。 4. 工业自动化设备:在工业控制系统中用于负载开关、继电器替代、电源管理等,具有响应快、损耗低的优点。 5. 家用电器:如电磁炉、洗衣机、空调等家电中的功率控制模块,提升能效并减小体积。 该MOSFET采用TO-220封装,便于散热和安装,具备良好的热稳定性和耐用性,适合中高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 17A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STP21NM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 220 毫欧 @ 8.5A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-5019-5 |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |