ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2N3439L
Datasheet下载- 型号： 2N3439L
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N3439L由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N3439L价格参考。American Microsemiconductor, Inc.2N3439L封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 350V 1A 800mW 通孔 TO-5。您可以下载2N3439L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N3439L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 350V 1A TO-5 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/124290-lds-0022-1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2N3439L |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 4mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 20mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-5 |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-205AA，TO-5-3 金属罐 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 350V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 2µA |
| 频率-跃迁 | - |
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