ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZXM61N03FTA
Datasheet下载- 型号： ZXM61N03FTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXM61N03FTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXM61N03FTA价格参考￥1.24-￥2.58。Diodes Inc.ZXM61N03FTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 1.4A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载ZXM61N03FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXM61N03FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated生产的ZXM61N03FTA是一款单通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于各种电子设备中。以下是一些典型的应用场景： 1. 电源管理 ZXM61N03FTA适用于开关电源、直流-直流转换器等电源管理系统。其低导通电阻和快速开关特性使其在高效能电源设计中表现出色，能够减少能量损耗并提高转换效率。 2. 电机控制 该器件可用于驱动小型直流电机或步进电机。通过精确控制电流和电压，ZXM61N03FTA可以实现对电机速度和方向的精准调节，常用于消费电子产品、家用电器及工业自动化设备中。 3. 负载切换 在需要频繁切换负载的应用中，如智能插座、USB充电器等，ZXM61N03FTA可以作为开关元件，确保电路在不同工作状态下的稳定性和安全性。它能够承受较高的电流冲击，保证系统的可靠运行。 4. 信号调理 ZXM61N03FTA还可以用于信号调理电路中，例如在传感器接口电路中作为模拟开关，用于选择不同的输入信号路径，或者在音频放大器中用于保护电路免受过载影响。 5. 电池管理 在便携式电子设备和电动汽车的电池管理系统中，ZXM61N03FTA可以用于电池充放电控制、电量监测以及过流保护等功能，确保电池的安全和寿命。 6. 通信设备 在网络通信设备、路由器、交换机等产品中，ZXM61N03FTA可以用于电源管理模块，提供稳定的供电，并在必要时切断电源以保护敏感组件。 7. LED驱动 对于LED照明系统，ZXM61N03FTA可以用作电流调节器，确保LED灯的亮度一致且稳定，同时还能实现调光功能，提升用户体验。 总之，ZXM61N03FTA凭借其优异的电气性能和可靠性，在多种应用场景中发挥着重要作用，特别是在需要高效能、高可靠性的电路设计中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3MOSFET 30V N-Chnl HDMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.4 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXM61N03FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXM61N03FTA |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 220 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 220 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.5 ns |
| 下降时间 | 2.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 910mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZXM61N03FDKR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 5.8 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.4A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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