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Datasheet下载- 型号： IRFP4468PBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP4468PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP4468PBF价格参考￥21.27-￥46.96。International RectifierIRFP4468PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 195A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC。您可以下载IRFP4468PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP4468PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFP4468PBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。这款MOSFET的主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：IRFP4468PBF具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于开关电源中的功率转换电路。它可以在高频下高效工作，减少能量损耗，提高电源效率。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，IRFP4468PBF可以用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。其高电流承载能力和低导通电阻有助于实现高效的电机控制，同时减少发热。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，IRFP4468PBF可以作为功率级的关键元件，用于将直流电转换为交流电。其优异的开关性能和低损耗特性使其成为逆变器的理想选择。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车和储能系统中，IRFP4468PBF可以用于电池管理系统的充放电控制电路。它的高可靠性和低功耗特性有助于延长电池寿命并提高系统的整体性能。 5. 负载开关：在需要频繁切换大电流负载的应用中，如工业控制系统或消费电子产品，IRFP4468PBF可以用作负载开关。其快速响应时间和低导通电阻确保了高效的负载控制。 6. DC-DC转换器：在DC-DC转换器中，IRFP4468PBF可以用于升压、降压或升降压转换电路。其高效率和低损耗特性使得它能够在紧凑的设计中提供稳定的电压输出。 7. 保护电路：在过流保护、短路保护等电路中，IRFP4468PBF可以作为一个关键元件，通过快速切断电流来保护其他敏感元件免受损坏。 总之，IRFP4468PBF凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子应用，特别是在需要高效功率转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 195A TO-247ACMOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 290 A |
| Id-连续漏极电流 | 290 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP4468PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP4468PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 520 W |
| Pd-功率耗散 | 520 W |
| Qg-GateCharge | 360 nC |
| Qg-栅极电荷 | 360 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 19860pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 540nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.6 毫欧 @ 180A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 功率-最大值 | 520W |
| 功率耗散 | 520 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 2 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 360 nC |
| 标准包装 | 25 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 290 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 195A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfp4468.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfp4468.spi |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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