ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > MCH3377-TL-W
Datasheet下载- 型号： MCH3377-TL-W
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3377-TL-W由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3377-TL-W价格参考。ON SemiconductorMCH3377-TL-W封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 3A（Ta） 1W（Ta） 3-MCPH。您可以下载MCH3377-TL-W参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH3377-TL-W 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH3377-TL-W 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款单通道增强型 n 沟道 MOSFET。这款晶体管具有低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等特性，适用于多种电力电子应用场景。 应用场景： 1. 电源管理： - MCH3377-TL-W 适合用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源管理电路中。其低导通电阻（Rds(on)）可以减少功率损耗，提高效率，特别适用于需要高效能和低功耗的便携式设备和电池供电系统。 2. 电机控制： - 在无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他电机驱动应用中，MCH3377-TL-W 可以作为开关元件，实现对电机电流的精确控制。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高电机驱动系统的响应速度和效率。 3. 负载开关： - 该 MOSFET 可以用作负载开关，实现对不同负载的通断控制。例如，在 USB 充电端口、电源分配模块等应用中，MCH3377-TL-W 可以有效地保护电路免受过流、短路等故障的影响。 4. 通信设备： - 在通信基站、路由器、交换机等网络设备中，MCH3377-TL-W 可以用于电源管理和信号切换。其低寄生电容和快速开关速度有助于减少信号干扰，提升系统的稳定性和可靠性。 5. 消费电子： - 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，MCH3377-TL-W 可以用于充电电路、背光驱动、音频放大器等场合。其紧凑的封装形式（如 SOT-23 封装）使其非常适合空间受限的应用。 6. 工业自动化： - 在工业控制系统、传感器接口、PLC 等应用中，MCH3377-TL-W 可以作为开关元件，控制继电器、指示灯、小型执行器等设备。其高可靠性和耐用性确保了工业环境下的长期稳定运行。 总之，MCH3377-TL-W 凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，成为许多电力电子设计中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MCH3377-TL-W |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 375pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 83 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
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