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  • 型号: 2SK3566(STA4,Q,M)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3566(STA4,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3566(STA4,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK3566(STA4,Q,M)封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 900V 2.5A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS。您可以下载2SK3566(STA4,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK3566(STA4,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SISMOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.5 A

Id-连续漏极电流

2.5 A

品牌

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SK3566

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba 2SK3566(STA4,Q,M)-

数据手册

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产品型号

2SK3566(STA4,Q,M)2SK3566(STA4,Q,M)

Pd-PowerDissipation

40 W

Pd-功率耗散

40 W

Qg-GateCharge

12 nC

Qg-栅极电荷

12 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.6 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

5.6 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

900 V

Vds-漏源极击穿电压

900 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

20 ns

下降时间

30 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

470pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.4 欧姆 @ 1.5A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220SIS

其它名称

2SK3566(Q)
2SK3566(STA4QM)
2SK3566Q
2SK3566Q-ND
2SK3566STA4QM

功率-最大值

40W

包装

管件

商标

Toshiba

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

5.6 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

2 S

汲极/源极击穿电压

900 V

漏极连续电流

2.5 A

漏源极电压(Vdss)

900V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.5A(Ta)

配置

Single

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