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FQP3N30产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP3N30由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP3N30价格参考。Fairchild SemiconductorFQP3N30封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 300V 3.2A(Tc) 55W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP3N30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP3N30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP3N30 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。它具有低导通电阻、高击穿电压(30V)和高电流能力(38A),适用于多种电力电子应用场景。以下是 FQP3N30 的主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FQP3N30 常用于开关模式电源中的功率开关,例如 DC-DC 转换器、降压或升压转换器。 - 其低导通电阻(Rds(on) = 9mΩ @ Vgs=10V)可降低传导损耗,提高电源效率。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用作小型直流电机的驱动开关,支持高效启动、停止和速度控制。 - 在 H 桥电路中,多个 FQP3N30 可组合使用以实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 负载开关 - 作为负载开关,FQP3N30 可用于动态控制电路中的负载通断,例如为 LED 驱动、USB 充电端口或其他外设供电。 4. 电池管理系统 (BMS) - 在锂电池或铅酸电池管理系统中,FQP3N30 可用作保护开关,防止过流、短路或反向充电等问题。 5. 逆变器 - 在小型逆变器中,FQP3N30 可用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能微逆变器或便携式逆变器。 6. 汽车电子 - 该器件适合汽车中的低压应用,如电动座椅调节、车窗升降器、雨刷电机等。 7. 音频放大器 - 在 D 类音频放大器中,FQP3N30 可作为输出级开关元件,提供高效的音频信号放大。 8. 工业控制 - 用于工业自动化设备中的电磁阀、继电器或步进电机驱动,实现快速响应和高可靠性。 特性优势: - 高电流承载能力:支持高达 38A 的连续漏极电流。 - 低导通电阻:减少发热,提升效率。 - 快速开关特性:适合高频应用。 - 紧凑封装:TO-220 封装便于散热和安装。 总之,FQP3N30 是一款性能优异的功率 MOSFET,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220MOSFET 300V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.2 A |
Id-连续漏极电流 | 3.2 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP3N30QFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQP3N30 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 55 W |
Pd-功率耗散 | 55 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 40 ns |
下降时间 | 25 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.2 欧姆 @ 1.6A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
功率-最大值 | 55W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 1.75 S |
漏源极电压(Vdss) | 300V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.2A (Tc) |
系列 | FQP3N30 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQP3N30_NL |