Datasheet下载- 型号： PMT21EN,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMT21EN,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMT21EN,135价格参考。NXP SemiconductorsPMT21EN,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMT21EN,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMT21EN,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 PMT21EN,135 是一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于低电压、低功耗的电子系统中。该器件采用小尺寸封装（如SOT23），适合空间受限的便携式设备。 典型应用场景包括： 1. 电源管理开关：用于电池供电设备中的负载开关，控制电源通断，降低待机功耗，常见于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中。 2. DC-DC转换器：在同步整流或低功率降压电路中作为开关元件，提升转换效率，适用于嵌入式电源系统。 3. 信号切换与逻辑控制：在数字电路中实现信号通断控制，如I²C总线缓冲、电平转换等。 4. LED驱动：用于小型LED灯的开关控制，如背光调节或状态指示灯驱动。 5. 消费类电子产品：广泛应用于家用电器、无线耳机、充电器、移动电源等产品中的低电流开关功能。 PMT21EN,135具有低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷和快速开关特性，有助于减少能量损耗，提高系统能效。同时，其高可靠性与稳定性使其适应工业环境下的小型控制系统。 综上，该MOSFET适用于需要高效、紧凑设计的低功率开关应用，特别适合对空间和能耗敏感的现代电子设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V SC-73 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMT21EN,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 588pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 7.4A，10V |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-10827-6 |
| 功率-最大值 | 820mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.4A （Ta） |
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