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FDY301NZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDY301NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDY301NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDY301NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 200mA(Ta) 625mW(Ta) SC-89-3。您可以下载FDY301NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDY301NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDY301NZ 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该器件属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电力电子应用。 主要应用场景: 1. 电源管理: - FDY301NZ 适用于各种开关电源(SMPS)设计,如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高效率。 - 在笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式设备的电源模块中,FDY301NZ 可用于同步整流,降低发热并延长电池寿命。 2. 电机驱动: - 该 MOSFET 适合用于小型直流电机和步进电机的驱动电路。其快速开关特性和低导通电阻可以有效控制电机的启动、停止和调速,同时减少能量损失。 - 在电动工具、家用电器(如吸尘器、风扇等)中,FDY301NZ 可作为功率级元件,实现高效驱动。 3. 负载开关: - 在需要频繁切换负载电流的应用中,FDY301NZ 可作为负载开关使用。它能够快速响应控制信号,确保负载在开启和关闭时平稳过渡,避免过冲和振荡。 - 常见于 USB 充电端口保护、多路电源切换等场景,提供可靠的电流路径控制。 4. 电池管理系统 (BMS): - 在锂电池和其他可充电电池组中,FDY301NZ 可用于电池充放电保护电路。它能够在检测到异常情况(如过压、过流或短路)时迅速切断电流,保护电池和相关电路的安全。 - 同时,MOSFET 的低导通电阻也有助于减少电池内部的发热,延长电池寿命。 5. 逆变器和变频器: - FDY301NZ 可用于光伏逆变器和工业变频器中的功率转换部分。它能够承受较高的电压和电流波动,确保系统的稳定运行。 - 在太阳能发电系统中,该 MOSFET 可帮助将直流电转换为交流电,提高能源利用率。 总之,FDY301NZ 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域,特别是在需要高效功率转换和精确电流控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89MOSFET 20V Sgl N-Chl 2.5V Spec PwrTrch MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDY301NZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDY301NZ |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.63 W |
| Pd-功率耗散 | 630 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 欧姆 @ 200mA,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-89-3 |
| 其它名称 | FDY301NZCT |
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
| 功率-最大值 | 446mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-89,SOT-490 |
| 封装/箱体 | SC-89-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA (Ta) |
| 系列 | FDY301NZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |