ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZXMP10A13FTA
Datasheet下载- 型号： ZXMP10A13FTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP10A13FTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP10A13FTA价格参考￥询价-￥询价。Diodes Inc.ZXMP10A13FTA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 100V 600mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载ZXMP10A13FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMP10A13FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMP10A13FTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关效率，适用于空间受限且对功耗敏感的应用场景。 其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理与负载开关，用于电池供电系统的反向电流保护和电源通断控制；在DC-DC转换电路中作为同步整流或高端开关使用，提升转换效率；还可用于电机驱动、LED驱动及小型家电中的低功率开关控制。 由于其封装小巧（如SOT-23），适合高密度PCB布局，广泛应用于消费类电子产品、工业控制模块和通信设备中。此外，ZXMP10A13FTA具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽温度范围内稳定工作，适合对稳定性要求较高的环境。 综上，该MOSFET特别适用于低电压、低功耗、高效率的开关应用场合，是现代电子设备中理想的功率开关元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3MOSFET P-Ch 100 Volt 0.7A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 700 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 700 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP10A13FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMP10A13FTA |
| Pd-PowerDissipation | 806 mW |
| Pd-功率耗散 | 806 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.45 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.45 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.1 ns |
| 下降时间 | 3.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 141pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 600mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZXMP10A13FTR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 5.9 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 600mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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