Datasheet下载- 型号： NP100P06PDG-E1-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP100P06PDG-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP100P06PDG-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP100P06PDG-E1-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP100P06PDG-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP100P06PDG-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的型号NP100P06PDG-E1-AY是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管中的FET分类。该器件常用于电源管理和负载开关等应用场景。 该MOSFET具有较高的耐压和大电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的系统。其主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：在DC-DC转换器、稳压器和电池供电设备中，用于高效控制电流流动，提高能源利用率。 2. 负载开关：作为电子开关控制负载的通断，例如在服务器、工业控制设备和通信设备中实现电源管理功能。 3. 电机控制：用于小型电机或继电器的驱动控制，提供快速开关响应和低导通电阻。 4. 汽车电子：适用于车载电源系统、车载充电器等对可靠性和稳定性要求较高的场景。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中，用于电源切换和节能控制。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，具备良好的热稳定性和耐用性，适合多种中高功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP100P06PDG-E1-AY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
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