ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STH3N150-2
Datasheet下载- 型号： STH3N150-2
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STH3N150-2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STH3N150-2价格参考￥29.30-￥35.46。STMicroelectronicsSTH3N150-2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 1500V 2.5A（Tc） 140W（Tc） H²PAK。您可以下载STH3N150-2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STH3N150-2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的型号为STH3N150-2的MOSFET，属于高压功率晶体管，具有耐高压、低导通电阻和高可靠性的特点。该器件主要应用于需要高电压开关能力的电源系统中。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、通信电源及高效率AC-DC转换器中，作为主开关元件，适用于反激式、正激式等拓扑结构，支持高输入电压工作。 2. LED照明驱动：适用于大功率LED路灯、工业照明等高压直流或交流驱动电路，提供高效稳定的开关控制。 3. 电机驱动：可用于小功率工业电机、家用电器中的电机控制模块，实现高效能电能转换与节能运行。 4. 高压电源系统：如光伏逆变器、不间断电源（UPS）和电池管理系统中，用于直流高压侧的开关控制。 5. 电磁炉与感应加热设备：在高频谐振电路中作为功率开关，利用其快速开关特性和耐压能力提升系统效率。 STH3N150-2具备1500V的漏源击穿电压和较高的雪崩能量承受能力，适合在恶劣电气环境中稳定运行。其TO-220或类似封装形式便于散热设计，适用于对可靠性要求较高的工业级应用。总体而言，该MOSFET特别适用于高电压、中低电流、高效率要求的电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | STH3N150-2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerMESH™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 939pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 欧姆 @ 1.3A，10V |
| 供应商器件封装 | H²PAK |
| 其它名称 | 497-13876-6 |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1500V（1.5kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Tc） |
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