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  • 型号: IXFN150N10
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN150N10由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN150N10价格参考。IXYSIXFN150N10封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFN150N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFN150N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFN150N10是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件具有高电流、低导通电阻和优良的热性能,适用于需要高效功率转换的场合。

其主要应用场景包括:

1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于高效能电能转换与调节。

2. 电机驱动:适用于直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路,尤其在工业自动化和机器人控制中表现良好。

3. 逆变器系统:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源及储能系统中,将直流电转换为交流电输出。

4. 电动汽车相关应用:如车载充电器、电池管理系统(BMS)中的功率控制部分。

5. 工业控制系统:在工业自动化设备中用于高频率开关控制,实现对负载的精确功率管理。

6. 高功率LED照明驱动:适用于需要大电流驱动的LED照明系统,提供稳定高效的电源控制。

该MOSFET具有100V的漏源电压(VDS)和高达150A的连续漏极电流能力,适合中高功率应用。由于其优良的导通特性和耐压能力,在需要高效率和高可靠性的电子系统中被广泛采用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

产品分类

FET - 模块

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXFN150N10

rohs

库存产品核实请求 / 库存产品核实请求

产品系列

HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

9000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

360nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

12 毫欧 @ 75A,10V

供应商器件封装

SOT-227B

功率-最大值

520W

包装

散装

安装类型

底座安装

封装/外壳

SOT-227-4,miniBLOC

标准包装

20

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

150A

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