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产品简介:
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IXYS品牌的IXFN150N10是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件具有高电流、低导通电阻和优良的热性能,适用于需要高效功率转换的场合。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于高效能电能转换与调节。 2. 电机驱动:适用于直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路,尤其在工业自动化和机器人控制中表现良好。 3. 逆变器系统:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源及储能系统中,将直流电转换为交流电输出。 4. 电动汽车相关应用:如车载充电器、电池管理系统(BMS)中的功率控制部分。 5. 工业控制系统:在工业自动化设备中用于高频率开关控制,实现对负载的精确功率管理。 6. 高功率LED照明驱动:适用于需要大电流驱动的LED照明系统,提供稳定高效的电源控制。 该MOSFET具有100V的漏源电压(VDS)和高达150A的连续漏极电流能力,适合中高功率应用。由于其优良的导通特性和耐压能力,在需要高效率和高可靠性的电子系统中被广泛采用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227 |
产品分类 | FET - 模块 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFN150N10 |
rohs | 库存产品核实请求 / 库存产品核实请求 |
产品系列 | HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 360nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 75A,10V |
供应商器件封装 | SOT-227B |
功率-最大值 | 520W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
标准包装 | 20 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 150A |