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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA55N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA55N10价格参考。Fairchild SemiconductorFQA55N10封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQA55N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA55N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA55N10是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适用于需要高效能和高可靠性的场合。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于高效能量转换。 2. 电机驱动:在电动工具、电动车或工业自动化中作为开关元件控制电机运行。 3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源中实现直流到交流的转换。 4. 负载开关:用于控制大功率负载的通断,如LED照明、加热元件等。 5. 电池管理系统(BMS):在储能设备中用于充放电控制与保护。 由于其良好的热稳定性和封装设计(如TO-262或DPAK),FQA55N10适合在中高功率应用中使用,尤其在对空间和效率有要求的设计中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQA55N10 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2730pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 30.5A,10V |
供应商器件封装 | TO-3P |
功率-最大值 | 190W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 450 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 61A (Tc) |