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产品简介:
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FDPF8N60ZUT 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等电源模块,作为主开关器件,实现高效的能量转换。 2. 电机控制:可用于直流电机或步进电机的驱动电路中,配合H桥结构实现电机正反转与调速功能。 3. 照明系统:在LED照明或电子镇流器中用作功率开关,支持调光与节能控制。 4. 电池充电器:用于各类电池充电设备中的功率控制部分,提高充电效率并降低损耗。 5. 工业自动化设备:在PLC、变频器、伺服驱动器等工业控制系统中,作为高频开关元件使用。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压(600V)、快速开关特性,适合于中高功率应用场合,且采用TO-220封装,便于散热和安装。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3MOSFET 600V 6.5A N-Chan FRFET UniFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF8N60ZUTUniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDPF8N60ZUT |
Pd-PowerDissipation | 34.5 W |
Pd-功率耗散 | 34.5 W |
Qg-GateCharge | 20 nC |
Qg-栅极电荷 | 20 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.15 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.15 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 30 ns |
下降时间 | 35 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1265pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.35 欧姆 @ 3.25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
典型关闭延迟时间 | 55 ns |
功率-最大值 | 34.5W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,成形引线 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 7 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.5A (Tc) |
系列 | FDPF8N60ZUT |