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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R5-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R5-30YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R5-30YLC,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 179W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN1R5-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN1R5-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R5-30YLC,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,属于晶体管中的 FET 类别。该器件具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适用于高效能、高密度电源管理应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器中,特别是在同步整流电路中提升效率。 2. 电机驱动:适用于工业控制、电动工具及家用电器中的小型电机驱动电路,因其低导通损耗可减少发热并提高系统可靠性。 3. 电池管理系统(BMS):在锂离子电池保护板中作为充放电控制开关,具备快速响应和低功耗优势。 4. 汽车电子:用于车载电源模块、LED 驱动、负载开关等场景,符合 AEC-Q101 标准,具备良好的温度稳定性和可靠性。 5. 热插拔与负载开关:适合服务器、通信设备中的电源管理单元,实现平稳上电和过流保护。 该 MOSFET 采用 LFPAK 封装(类似 TO-Leadless),具有优异的散热性能和机械强度,适合自动化生产。其 30V 耐压和高达 160A 的脉冲电流能力,使其在高功率密度设计中表现出色。总体而言,PSMN1R5-30YLC 特别适用于对效率、空间和可靠性要求较高的中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET N-Ch 30V 1.55mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R5-30YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R5-30YLC,115 |
| Pd-PowerDissipation | 179 W |
| Pd-功率耗散 | 179 W |
| Qg-GateCharge | 65 nC |
| Qg-栅极电荷 | 65 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.55 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.51 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.51 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4044pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.55 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6727-6 |
| 功率-最大值 | 179W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.55 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tmb) |