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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C3V9LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C3V9LT1G价格参考¥0.04-¥0.04。ON SemiconductorBZX84C3V9LT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 3.9V 225mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载BZX84C3V9LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C3V9LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C3V9LT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款表面贴装齐纳二极管,标称稳压值为3.9V,功率为250mW。该器件属于BZX84系列,采用SOD-123封装,具有体积小、响应速度快、稳定性高等特点。 主要应用场景包括: 1. 电压参考:在低功耗模拟电路中为基准电压源提供稳定参考,适用于传感器信号调理、ADC/DAC参考等场合。 2. 过压保护:常用于电源输入端或敏感引脚的钳位保护,防止瞬态电压或静电放电(ESD)损坏后续电路,如通信接口(USB、I2C)、微控制器GPIO等。 3. 电平箝位与信号整形:在数字和模拟信号线路中限制电压幅度,确保信号在安全范围内工作,广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品。 4. 电源管理电路:配合线性稳压器或LDO使用,实现简单的稳压功能,适用于电池供电设备,如智能手机、可穿戴设备、物联网终端等。 5. 工业控制与汽车电子:由于其高可靠性与符合AEC-Q101车规认证(部分批次),也适用于汽车电子中的传感器模块、ECU外围电路及工业仪表等环境。 该器件具备绿色环保特性(无铅、符合RoHS),适合自动化贴片生产,广泛应用于消费电子、通信、工业控制和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.9V 225MW SOT23-3稳压二极管 3.9V 225mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor BZX84C3V9LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZX84C3V9LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | BZX84C3V9LT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 90 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.9V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | - 3 mV/K |
| 系列 | BZX84C3V9L |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 90 欧姆 |
| 齐纳电压 | 3.9 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |