ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > PEMH11,315
Datasheet下载- 型号： PEMH11,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH11,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH11,315价格参考。NXP SemiconductorsPEMH11,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMH11,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMH11,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMH11,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻网络（含R1/R2），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装，含两个独立的NPN通道。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）I/O口驱动LED、小型继电器或光耦输入端，无需外接基极偏置电阻，简化PCB设计并提升可靠性。 2. LED驱动电路：常用于多路LED指示灯控制（如面板状态灯、通信设备链路指示），支持低至5mA–100mA集电极电流，具备良好开关特性（开关速度快、饱和压降低）。 3. 信号切换与负载开关：在便携式设备（如IoT传感器节点、可穿戴设备）中用作低功耗信号路由或电源通断控制，配合MCU实现节能管理。 4. 工业与消费类电子中的简单放大/开关应用：如编码器信号整形、按键消抖、蜂鸣器驱动等对增益要求不高的场合。 该器件具有ESD防护（HBM ≥2kV）、宽工作温度范围（−65°C 至 +150°C）及AEC-Q101兼容性（部分批次），亦可用于汽车电子非安全相关模块（如车身控制、空调面板）。其预偏置结构显著减少外围元件数量，提高生产良率与系统稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 50V 200mW NPN/PNP resistor-equip trans |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMH11,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMH11,315 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056861315 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SS-Mini-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN/NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | - |
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