Datasheet下载- 型号： FQD2N40TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD2N40TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD2N40TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD2N40TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD2N40TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD2N40TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD2N40TM是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高压MOSFET，属于N沟道增强型功率场效应晶体管。其主要应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动以及各类需要高压功率控制的电子设备中。 该器件耐压高达400V，适合用于交流输入的电源系统，如适配器、充电器和照明电源（如LED驱动电源）。由于其具备较低的导通电阻和快速开关特性，能有效提升电源转换效率，减少能量损耗，适用于高效率节能设计。 此外，FQD2N40TM常用于工业控制设备中的功率开关模块，也可在小型家电、UPS（不间断电源）及消费类电子产品中作为主开关元件。其采用TO-252（D-Pak）封装，便于散热和电路板安装，适合自动化生产，广泛应用于中等功率级别的电力电子系统。 综上，FQD2N40TM凭借高耐压、良好热性能和可靠稳定性，广泛服务于电源管理、工业控制与消费电子等领域，是一款典型的高压功率开关器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD2N40TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.8 欧姆 @ 700mA，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.4A （Tc） |
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