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  • 型号: FDD5612
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDD5612产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD5612由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD5612价格参考。Fairchild SemiconductorFDD5612封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 5.4A(Ta) 3.8W(Ta),42W(Tc) TO-252-3。您可以下载FDD5612参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD5612 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDD5612 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景主要包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:FDD5612 的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 4.7mΩ)使其非常适合用于高效能的 DC-DC 转换电路中,作为开关元件以降低功耗。
   - 负载开关:在便携式设备和嵌入式系统中,FDD5612 可用作负载开关,实现对不同负载的动态控制,同时减少能量损耗。
   - 电池管理系统 (BMS):在电池供电设备中,该 MOSFET 可用于保护电路,防止过流、短路或反向电流。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:由于其出色的开关性能和较低的导通损耗,FDD5612 可用于驱动小型直流电机,例如风扇、泵或玩具中的电机。
   - H 桥电路:在需要双向控制的小功率电机应用中,FDD5612 可作为 H 桥电路的一部分,实现电机的正转和反转。

 3. 消费类电子产品
   - 笔记本电脑和智能手机充电器:FDD5612 的高效率和紧凑封装(SO-8 封装)使其成为便携式设备充电器的理想选择。
   - 音频放大器:在 D 类音频放大器中,FDD5612 可用作输出级开关器件,提供快速的开关速度和低失真。

 4. 工业控制
   - 固态继电器 (SSR):FDD5612 可用于设计固态继电器,替代传统的机械继电器,提供更长的使用寿命和更高的可靠性。
   - 逆变器和 UPS 系统:在小功率逆变器和不间断电源 (UPS) 中,该 MOSFET 可用于开关电路,确保高效的电能转换。

 5. 汽车电子
   - 车身控制模块 (BCM):FDD5612 可用于汽车电子中的负载切换和保护功能,例如车窗升降器、雨刷器等。
   - LED 驱动:在汽车照明系统中,该 MOSFET 可用于驱动 LED 灯条,提供稳定的电流输出。

 6. 通信设备
   - 基站电源:在通信基站的电源模块中,FDD5612 可用于提高电源转换效率。
   - 信号调理电路:在低噪声要求的应用中,该 MOSFET 的低导通电阻特性有助于减少热噪声。

综上所述,FDD5612 凭借其低导通电阻、高开关速度和紧凑封装,在电源管理、电机驱动、消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域有着广泛的应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAKMOSFET 60V N-Ch PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

18 A

Id-连续漏极电流

18 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD5612PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDD5612

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

42 W

Pd-功率耗散

42 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

36 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

36 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

4 ns

下降时间

4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

660pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

55 毫欧 @ 5.4A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

FDD5612DKR

典型关闭延迟时间

24 ns

功率-最大值

1.6W

包装

Digi-Reel®

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

15 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.4A (Ta)

系列

FDD5612

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FDD5612_NL

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