ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDD5612
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDD5612产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD5612由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD5612价格参考。Fairchild SemiconductorFDD5612封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 5.4A(Ta) 3.8W(Ta),42W(Tc) TO-252-3。您可以下载FDD5612参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD5612 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD5612 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:FDD5612 的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 4.7mΩ)使其非常适合用于高效能的 DC-DC 转换电路中,作为开关元件以降低功耗。 - 负载开关:在便携式设备和嵌入式系统中,FDD5612 可用作负载开关,实现对不同负载的动态控制,同时减少能量损耗。 - 电池管理系统 (BMS):在电池供电设备中,该 MOSFET 可用于保护电路,防止过流、短路或反向电流。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:由于其出色的开关性能和较低的导通损耗,FDD5612 可用于驱动小型直流电机,例如风扇、泵或玩具中的电机。 - H 桥电路:在需要双向控制的小功率电机应用中,FDD5612 可作为 H 桥电路的一部分,实现电机的正转和反转。 3. 消费类电子产品 - 笔记本电脑和智能手机充电器:FDD5612 的高效率和紧凑封装(SO-8 封装)使其成为便携式设备充电器的理想选择。 - 音频放大器:在 D 类音频放大器中,FDD5612 可用作输出级开关器件,提供快速的开关速度和低失真。 4. 工业控制 - 固态继电器 (SSR):FDD5612 可用于设计固态继电器,替代传统的机械继电器,提供更长的使用寿命和更高的可靠性。 - 逆变器和 UPS 系统:在小功率逆变器和不间断电源 (UPS) 中,该 MOSFET 可用于开关电路,确保高效的电能转换。 5. 汽车电子 - 车身控制模块 (BCM):FDD5612 可用于汽车电子中的负载切换和保护功能,例如车窗升降器、雨刷器等。 - LED 驱动:在汽车照明系统中,该 MOSFET 可用于驱动 LED 灯条,提供稳定的电流输出。 6. 通信设备 - 基站电源:在通信基站的电源模块中,FDD5612 可用于提高电源转换效率。 - 信号调理电路:在低噪声要求的应用中,该 MOSFET 的低导通电阻特性有助于减少热噪声。 综上所述,FDD5612 凭借其低导通电阻、高开关速度和紧凑封装,在电源管理、电机驱动、消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域有着广泛的应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAKMOSFET 60V N-Ch PowerTrench |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
Id-连续漏极电流 | 18 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD5612PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDD5612 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 42 W |
Pd-功率耗散 | 42 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 36 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 36 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 4 ns |
下降时间 | 4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 55 毫欧 @ 5.4A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
其它名称 | FDD5612DKR |
典型关闭延迟时间 | 24 ns |
功率-最大值 | 1.6W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 15 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.4A (Ta) |
系列 | FDD5612 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FDD5612_NL |