Datasheet下载- 型号： STW18NK80Z
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW18NK80Z由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW18NK80Z价格参考。STMicroelectronicsSTW18NK80Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW18NK80Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW18NK80Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 STW18NK80Z 是一款 N 沟道高压功率 MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件具有 800V 的高漏源击穿电压和较高的电流处理能力，适用于需要高效开关和高耐压性能的功率应用。 其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、服务器电源和电信电源中，作为主开关元件，实现高效的电能转换。 2. DC-DC 转换器：适用于高电压输入环境下的降压变换拓扑，如 PFC（功率因数校正）电路后的主开关管。 3. 电机驱动：在工业电机控制、家用电器（如空调、洗衣机）的变频驱动系统中，用于实现精确的功率调节与控制。 4. 照明电源：应用于高强度放电灯（HID）、LED 驱动电源等高压照明系统中，提供稳定可靠的开关性能。 5. 逆变器系统：如太阳能逆变器或不间断电源（UPS），利用其高耐压和低导通电阻特性提升整体效率。 STW18NK80Z 采用 TO-247 封装，具备良好的热性能和可靠性，适合高功率密度设计。其优化的栅极电荷和导通电阻（RDS(on)）有助于降低开关损耗和传导损耗，提高系统能效。因此，该器件在工业、能源和消费类电子领域中，广泛应用于高电压、高效率的功率转换场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STW18NK80Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 250nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-4423-5 |
| 功率-最大值 | 350W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Tc） |
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