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Datasheet下载- 型号： PMBT2222,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMBT2222,215产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT2222,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT2222,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBT2222,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 30V 600mA 250MHz 250mW 表面贴装 TO-236AB（SOT23）。您可以下载PMBT2222,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBT2222,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBT2222,215 是 NXP USA Inc. 推出的通用 NPN 型双极结型晶体管（BJT），采用小型 SOT-23 表面贴装封装，具有高增益（hFE 典型值 300@10mA, 5V）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.3V @ IC=10mA, IB=1mA）和良好开关/放大特性。其典型应用场景包括： - 小信号开关应用：如微控制器 GPIO 驱动 LED、继电器、小型蜂鸣器或逻辑电平转换电路； - 低功率线性放大：音频前置放大、传感器信号调理（如热敏电阻/光电二极管微弱信号放大）； - 电源管理辅助电路：LDO 使能控制、负载开关、电池电压检测中的电平移位或电流镜； - 消费类与工业电子：便携设备（无线耳机、遥控器）、家电控制板、IoT 节点中的基础开关与接口电路。 该器件工作结温范围宽（−65°C 至 +150°C），ESD 鲁棒性好（HBM ≥ 8kV），适合空间受限、成本敏感且可靠性要求较高的中低频（fT ≈ 250MHz）应用。不适用于大功率、高频射频或高压场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 30V 600MA SOT23两极晶体管 - BJT TRANS SW TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT2222,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBT2222,215 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.6V @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-8103-6 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 800 mA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 35 at 0.1 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 600 mA |
| 零件号别名 | PMBT2222 T/R |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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