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Datasheet下载- 型号： FJI5603DTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FJI5603DTU产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJI5603DTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJI5603DTU价格参考。Fairchild SemiconductorFJI5603DTU封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 800V 3A 5MHz 100W 通孔 I2PAK（TO-262）。您可以下载FJI5603DTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJI5603DTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJI5603DTU是安森美（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），采用1.5SMC封装，具有高可靠性与良好的热稳定性。该器件适用于多种中低功率开关和放大应用。 典型应用场景包括：电源管理电路中的开关控制，如DC-DC转换器、LED驱动电路；在消费类电子产品（如电视、机顶盒、充电器）中用于信号放大或作为电子开关；工业控制模块中实现继电器驱动或小电机控制；也可用于脉冲宽度调制（PWM）电路中进行功率调节。 其高电流增益和快速开关特性使其在高频开关应用中表现良好，同时具备较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO=60V），适合工作在中等电压环境。此外，该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品设计。 综上，FJI5603DTU广泛应用于消费电子、工业控制、电源系统及LED照明等领域，是一款性能稳定、通用性强的中功率BJT器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 800V 3A I2PAK两极晶体管 - BJT NPN Silicon |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJI5603DTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FJI5603DTU |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 2.5V @ 200mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 400mA，3V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.084 g |
| 发射极-基极电压VEBO | 12 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 5 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 100000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 800V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 20 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | FJI5603D |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 800 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 1.6 kV |
| 频率-跃迁 | 5MHz |
