【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_MJE3055TG】封装/厂家_MJE3055TG中文资料_价格

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型号： MJE3055TG
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MJE3055TG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE3055TG价格参考。ON SemiconductorMJE3055TG封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 10A 2MHz 75W 通孔 TO-220AB。您可以下载MJE3055TG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJE3055TG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJE3055TG是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极晶体管（BJT），具体为NPN型功率晶体管。它在多种应用场景中具有广泛的应用，尤其适合需要高效能和高可靠性的电路设计。

 主要应用场景：

1. 电源管理：
   - MJE3055TG常用于开关电源、线性稳压器等电源管理电路中。其高电流处理能力和低饱和电压特性使其能够有效减少功耗，提高电源转换效率。
   
2. 音频放大器：
   - 在音频设备中，如音响系统、耳机放大器等，MJE3055TG可用于驱动输出级。其良好的线性度和高频响应能力有助于提供高质量的音频信号放大，减少失真。

3. 电机控制：
   - 该晶体管适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。通过控制基极电流，可以实现对电机转速和方向的精确控制。其较高的集电极-发射极击穿电压（Vceo）确保了在高压环境下也能稳定工作。

4. 继电器驱动：
   - MJE3055TG可以用作继电器驱动电路中的开关元件。由于其较大的电流承载能力，能够轻松驱动多个继电器，同时保证快速的开关速度和较低的导通损耗。

5. 工业自动化：
   - 在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口等，MJE3055TG可以作为信号放大或隔离用的开关器件。它的高耐压和大电流特性使得它能够在恶劣的工业环境中可靠运行。

6. 通信设备：
   - 在一些通信模块或基站中，MJE3055TG可用于射频前端的功率放大或开关控制，确保信号的稳定传输和接收。

 总结：
MJE3055TG凭借其优异的电气性能和可靠性，在电源管理、音频放大、电机控制、继电器驱动、工业自动化及通信设备等多个领域有着广泛的应用。其大电流、高耐压以及良好的线性度等特点，使其成为许多工程师在设计高性能电路时的首选。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS PWR NPN 10A 60V TO220AB两极晶体管 - BJT 10A 60V 125W NPN
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJE3055TG-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MJE3055TG
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	8V @ 3.3A，10A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	20 @ 4A，4V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	MJE3055TGOS
功率-最大值	75W
包装	管件
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	2 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	75 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	10 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
电压-集射极击穿（最大值）	60V
电流-集电极(Ic)（最大值）	10A
电流-集电极截止（最大值）	700µA
直流集电极/BaseGainhfeMin	20
系列	MJE3055T
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	60 V
集电极—基极电压VCBO	70 V
集电极—射极饱和电压	1.1 V
集电极连续电流	10 A
频率-跃迁	2MHz

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