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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PHE13009/DG,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHE13009/DG,127价格参考。NXP SemiconductorsPHE13009/DG,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PHE13009/DG,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHE13009/DG,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
WeEn Semiconductors(华润微安世半导体)的型号为PHE13009/DG,127的晶体管,属于双极型晶体管(BJT)类别中的单管类型。该器件主要设计用于中高功率的开关和放大应用场景。 该晶体管通常采用TO-252或类似表面贴装封装形式,适用于需要高效能与稳定性的电路设计。其典型应用包括电源转换器、马达控制、照明系统以及各类工业自动化设备中的开关电路。 此外,PHE13009/DG,127也常见于DC-DC转换器和开关电源(SMPS)中,作为关键的功率开关元件使用。由于其具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性,因此在要求较高可靠性和效率的电子系统中具有广泛应用。 总结而言,这款BJT晶体管适合应用于需要中高功率处理能力的工业控制、电源管理和电子设备驱动等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN 400V 12A TO220AB两极晶体管 - BJT NPN POWER TRANSISTOR |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PHE13009/DG,127- |
数据手册 | |
产品型号 | PHE13009/DG,127 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 2V @ 1.6A,8A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 8 @ 5A,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 934065587127 |
功率-最大值 | 80W |
包装 | 管件 |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 通孔 |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 80 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 12 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 12A |
电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
直流电流增益hFE最大值 | 8 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 8 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
集电极—基极电压VCBO | 700 V |
集电极连续电流 | 12 A |
频率-跃迁 | - |