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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PHE13009/DG,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHE13009/DG,127价格参考。NXP SemiconductorsPHE13009/DG,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PHE13009/DG,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHE13009/DG,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHE13009/DG,127 是 NXP USA Inc. 推出的高功率 NPN 型双极结型晶体管(BJT),主要面向开关应用。其典型应用场景包括: - 开关电源(SMPS):广泛用于离线式 AC-DC 电源的主开关管,如适配器、充电器及工业电源中,支持高达 400 V 的集电极-发射极电压(VCEO)和 12 A 连续集电极电流(IC),适合高频硬开关拓扑(如反激、正激)。 - 电子镇流器与LED驱动:在荧光灯电子镇流器及大功率LED恒流驱动电路中,作为高频功率开关,实现高效能量转换与调光控制。 - 电机控制与电磁阀驱动:适用于中小功率直流电机启停/调速(如家电、工业泵)、继电器或电磁阀的驱动级,提供可靠的大电流开关能力。 - UPS与逆变器辅助电路:在不间断电源及小功率DC-AC逆变器中,承担DC侧高压开关或保护电路中的过流切断功能。 该器件采用 TO-220AB 封装,具备良好的热稳定性和雪崩耐受能力(Rg 可选配以优化开关速度与EMI),但需注意合理设计基极驱动(如足够灌/拉电流)及散热措施。不推荐用于线性放大或极高频率(>100 kHz)连续导通场景。整体定位为经济可靠的中高功率通用开关器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 400V 12A TO220AB两极晶体管 - BJT NPN POWER TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PHE13009/DG,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHE13009/DG,127 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 2V @ 1.6A,8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 8 @ 5A,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 934065587127 |
| 功率-最大值 | 80W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 80 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 12 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 12A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 8 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 8 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 700 V |
| 集电极连续电流 | 12 A |
| 频率-跃迁 | - |