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  • 型号: IPB65R045C7ATMA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB65R045C7ATMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB65R045C7ATMA1价格参考。InfineonIPB65R045C7ATMA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 650V 46A(Tc) 227W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载IPB65R045C7ATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPB65R045C7ATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPB65R045C7_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e78ea82013e790478550043

产品图片

产品型号

IPB65R045C7ATMA1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

CoolMOS™ C7

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1.25mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4340pF @ 400V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

93nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

45 毫欧 @ 24.9A, 10V

供应商器件封装

PG-TO263

其它名称

IPB65R045C7ATMA1DKR

功率-最大值

227W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

46A (Tc)

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