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  • 型号: BC850B,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC850B,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC850B,215价格参考。NXP SemiconductorsBC850B,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 45V 100mA 100MHz 250mW 表面贴装 TO-236AB(SOT23)。您可以下载BC850B,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC850B,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 BC850B,215 是一款通用型 NPN 双极结型晶体管(BJT),属于小信号晶体管,广泛应用于各类电子电路中。其典型应用场景包括信号放大、开关控制和逻辑电路驱动等。

在消费类电子产品中,BC850B 常用于音频信号放大电路,如前置放大器或耳机驱动模块,因其良好的线性特性和低噪声表现,适合处理微弱信号。在便携式设备(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备)中,该器件可用于电源管理或LED背光驱动的开关控制,实现高效节能。

工业控制与通信设备中,BC850B,215 也常作为接口电路中的开关元件,用于继电器驱动、逻辑电平转换或传感器信号调理。其高电流增益(hFE)和稳定的工作特性确保了系统可靠性。

此外,该晶体管采用SOT-23小型封装,体积小巧,适合高密度贴装的印刷电路板设计,广泛用于自动化生产中的表面贴装技术(SMT),提升制造效率。

综上,BC850B,215 凭借其稳定的电气性能、紧凑的封装和高性价比,适用于消费电子、工业控制、通信模块及各类需要小信号处理或低功率开关功能的场景,是现代电子设计中常用的通用晶体管之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23两极晶体管 - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC850B,215-

数据手册

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产品型号

BC850B,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-6075-2
933589690215
BC850B T/R
BC850B T/R-ND
BC850B,215-ND

功率-最大值

250mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

250 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

200 at 2 mA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

200 at 2 mA at 5 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

零件号别名

BC850B T/R

频率-跃迁

100MHz

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