【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_IRF7342QTRPBF】封装/厂家_IRF7342QTRPBF中文资料_价格

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型号： IRF7342QTRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7342QTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7342QTRPBF价格参考。International RectifierIRF7342QTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 55V 3.4A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7342QTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7342QTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRF7342QTRPBF是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，广泛应用于各种需要高效、低功耗和紧凑设计的电子设备中。该器件具有以下应用场景：

1. 电源管理：
   - 用于开关电源（SMPS）中的同步整流器，提高效率并减少发热。
   - 在DC-DC转换器中作为主开关或同步整流MOSFET，实现高效的电压转换。

2. 电机驱动：
   - 适用于小型直流电机和步进电机的驱动电路，提供精确的电流控制和快速响应。
   - 在H桥电路中用于双向电机控制，确保电机正反转顺畅。

3. 负载切换：
   - 用作负载开关，能够快速、可靠地接通或断开负载，保护系统免受过流和短路的影响。
   - 在电池管理系统（BMS）中用于电池充放电路径的控制，确保安全运行。

4. 通信设备：
   - 在基站、路由器和其他通信设备中用于信号调理和功率放大器的偏置控制。
   - 提供低导通电阻（Rds(on)），有助于降低功耗并提高信号完整性。

5. 消费电子产品：
   - 应用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电电路，提供高效的电源管理。
   - 在音频放大器中用于输出级，确保高质量的声音输出。

6. 工业自动化：
   - 用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口和执行器驱动，实现工业系统的自动化控制。
   - 在智能电网设备中用于电力监控和分配，确保电力系统的稳定性和可靠性。

7. 汽车电子：
   - 在车身控制模块（BCM）、电动助力转向（EPS）和车载充电器（OBC）中，提供高效可靠的功率控制。
   - 满足汽车级应用的严格要求，如高温环境下的稳定性和抗干扰能力。

总之，IRF7342QTRPBF凭借其低导通电阻、高开关速度和紧凑封装，成为众多高性能应用的理想选择，特别是在对效率和可靠性有较高要求的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH DUAL 55V 8-SOIC
产品分类	FET - 阵列
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 P 沟道（双）
品牌	International Rectifier
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	IRF7342QTRPBF
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	690pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	38nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	105 毫欧 @ 3.4A，10V
供应商器件封装	8-SO
其它名称	IRF7342QTRPBFDKR
功率-最大值	2W
包装	Digi-Reel®
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.4A