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型号： IPD60R380C6
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IPD60R380C6产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD60R380C6由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD60R380C6价格参考。InfineonIPD60R380C6封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 600V 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3。您可以下载IPD60R380C6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD60R380C6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252MOSFET COOL MOS
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	10.6 A
Id-连续漏极电流	10.6 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD60R380C6CoolMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/IPP60R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297d36a554479
产品型号	IPD60R380C6
Pd-PowerDissipation	83 W
Pd-功率耗散	83 W
Qg-GateCharge	32 nC
Qg-栅极电荷	32 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	380 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	380 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	10 ns
下降时间	9 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.5V @ 320µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	700pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	32nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	380 毫欧 @ 3.8A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25212http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-TO252-3
其它名称	IPD60R380C6INDKR
典型关闭延迟时间	110 ns
功率-最大值	83W
包装	Digi-Reel®
商标	Infineon Technologies
商标名	CoolMOS
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	10.6A （Tc）
系列	IPD60R380
零件号别名	IPD60R380C6BTMA1 SP000660628