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产品简介:
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FQA14N30是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的电路中。 FQA14N30的主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源适配器中,提供高效、快速的开关性能,适用于中高功率的电源设计。 2. 电机驱动:在直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中,作为功率开关使用,能够承受较高的电流和电压应力。 3. 逆变器与变频器:用于UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、变频空调等设备中,实现直流到交流的电能转换。 4. 充电器与电池管理系统:应用于电动车、储能系统或工业设备中的充电控制电路,具备良好的导通电阻和热稳定性。 5. 工业自动化与控制设备:作为功率开关用于工业控制模块、继电器替代、负载开关等场景,具备较高的可靠性和耐用性。 该MOSFET具有14A电流能力、300V漏源电压(VDS)和较低的导通电阻,适合高效率、高频率的开关应用。其封装形式(如TO-220)便于散热和安装,适合工业级环境使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 300V 15A TO-3P |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQA14N30 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1360pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 290 毫欧 @ 7.5A,10V |
供应商器件封装 | TO-3P |
功率-最大值 | 160W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 450 |
漏源极电压(Vdss) | 300V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Tc) |