Datasheet下载- 型号： PSMN070-200B,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN070-200B,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN070-200B,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN070-200B,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN070-200B,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN070-200B,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN070-200B,118 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 通道增强型功率 MOSFET，属于晶体管中的 FET（场效应晶体管）类别。该器件具有 200V 的漏源电压（VDS）和低导通电阻（典型值约 7 mΩ），适用于高效率、高电流开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块中，因其低导通电阻可减少导通损耗，提高能效。 2. 电机驱动：适用于工业控制、电动工具和家用电器中的直流电机或步进电机驱动电路，支持高频开关操作，有助于减小系统体积并提升响应速度。 3. 照明系统：在 LED 驱动电源中作为主开关元件，支持恒流输出与高效调光功能，适用于商业和户外照明方案。 4. 逆变器与UPS：用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等设备中，实现直流到交流的高效转换，具备良好的热稳定性和可靠性。 5. 电池管理系统（BMS）：可用于电池充放电控制电路，提供低功耗和高安全性的开关性能。 该 MOSFET 采用成熟封装技术（如 D2PAK 或类似），具备良好的散热能力和可靠性，适合在工业、消费电子及汽车辅助系统等多种环境中使用。其高性价比和稳定性能使其成为中等功率应用中的优选器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN070-200B,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 77nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 17A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5953-6 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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