Datasheet下载- 型号： PSMN070-200B,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN070-200B,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN070-200B,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN070-200B,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN070-200B,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN070-200B,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN070-200B,118 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值7.0 mΩ @ Vgs=10V，8.5 mΩ @ Vgs=4.5V）、高阈值电压兼容性（Vgs(th) 1.0–2.3V）及200V耐压能力。其主要应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、服务器/通信电源的次级同步整流或初级侧高压开关，提升效率与功率密度； - 电机驱动：用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动，支持PWM高频调速； - LED照明驱动：在恒流LED驱动电路中作主开关或调光MOSFET，满足高效率、低发热需求； - 工业控制与电源管理：如PLC输出模块、电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关、热插拔电路等； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：该型号虽常用于车规设计，但需确认具体批次是否通过AEC认证），适用于车载照明、风扇控制、DC-DC转换等非安全关键应用。 其逻辑电平特性便于直接由MCU或驱动IC（如3.3V/5V输出）控制，无需额外电平转换；TO-220封装利于散热，适合中等功率（连续ID约60A，脉冲ID达240A）场景。注意实际应用中需配合合理PCB布局、散热设计及栅极驱动保护，以确保可靠运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN070-200B,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 77nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 17A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5953-6 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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