ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFS4620PBF
Datasheet下载- 型号： IRFS4620PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFS4620PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4620PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4620PBF价格参考。International RectifierIRFS4620PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） D2PAK。您可以下载IRFS4620PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS4620PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFS4620PBF的器件属于功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型场效应管。该器件广泛应用于需要高效、高速开关特性的场合。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，用于提高转换效率和减小电源体积。 2. 电机控制：用于电动工具、电动车、工业自动化设备中的电机驱动电路，实现对电机转速与方向的精确控制。 3. 逆变器系统：在UPS（不间断电源）、太阳能逆变器中，作为核心开关元件实现直流电到交流电的转换。 4. 负载开关：用于高边或低边开关控制，例如在电池管理系统中控制充放电通路。 5. 汽车电子：如车载充电系统、电机驱动模块等，得益于其高可靠性和耐压特性。 IRFS4620PBF具有低导通电阻、高耐压（600V）、适合高频开关等特点，适合用于中高功率应用。其封装形式为D2PAK（TO-263），便于散热和安装，适用于表面贴装工艺。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAKMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4620PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS4620PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 144 W |
| Pd-功率耗散 | 144 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 77.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 77.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V to 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V to 5 V |
| 上升时间 | 22.4 ns |
| 下降时间 | 14.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1710pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 77.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 25.4 ns |
| 功率-最大值 | 144W |
| 功率耗散 | 144 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 77.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 25 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 37 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 24 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
