【未分类_IPB057N06NATMA1】封装/厂家_IPB057N06NATMA1中文资料_价格

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型号： IPB057N06NATMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB057N06NATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB057N06NATMA1价格参考。InfineonIPB057N06NATMA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPB057N06NATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB057N06NATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IPB057N06NATMA1是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括：

1. 开关电源（SMPS）：该器件适用于各种开关电源设计，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率并减少功率损耗。

2. 电机驱动：在电机控制应用中，这款MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机，提供高效的开关性能和良好的热管理能力。

3. 电池管理系统（BMS）：用于保护锂离子电池或其他可充电电池组免受过充、过放、短路等故障的影响。其低导通电阻有助于降低电池充放电过程中的能量损失。

4. 负载切换：在汽车电子和工业自动化领域，该MOSFET可用作负载切换开关，实现对不同负载的快速、可靠控制。

5. 太阳能逆变器：在小型光伏系统中，这款MOSFET可用于逆变器电路，帮助将直流电转换为交流电，以供家庭或电网使用。

6. LED驱动器：在高亮度LED照明应用中，该器件能够提供稳定的电流输出，确保LED的亮度一致性和使用寿命。

总之，IPB057N06NATMA1凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及可再生能源等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	45 A
Id-连续漏极电流	45 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET MV POWER MOS
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB057N06NATMA1
产品型号	IPB057N06NATMA1
Pd-PowerDissipation	83 W
Pd-功率耗散	83 W
Qg-GateCharge	27 nC
Qg-栅极电荷	27 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	5.7 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	5.7 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.8 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.8 V
上升时间	12 ns
下降时间	7 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	20 ns
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	73 S
系列	IPB057N06
配置	Single
零件号别名	SP000962140