ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BBS3002-DL-1E
Datasheet下载- 型号： BBS3002-DL-1E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BBS3002-DL-1E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BBS3002-DL-1E价格参考￥14.92-￥18.64。ON SemiconductorBBS3002-DL-1E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 100A（Ta） 90W（Tc） D²PAK（TO-263）。您可以下载BBS3002-DL-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BBS3002-DL-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BBS3002-DL-1E是安森美（ON Semiconductor）生产的一款P沟道MOSFET，属于单MOSFET晶体管。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性，适用于多种电源管理与开关控制场景。 其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源开关和负载管理，用于电池供电系统的通断控制，以降低功耗并延长续航时间；在DC-DC转换电路中作为同步整流或高端/低端开关元件，提升电源转换效率；还可用于电机驱动、LED驱动及各类低电压、低功耗控制系统中，实现高效、紧凑的设计。 BBS3002-DL-1E采用小型化封装（如DFN），适合空间受限的高密度PCB布局，广泛应用于消费电子、工业控制、物联网设备等领域。其可靠的性能和稳定的电气参数，使其成为中低功率开关应用中的优选器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 100A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BBS3002-DL-1E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13200pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 280nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.8 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Ta） |
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