Datasheet下载- 型号： ISL9N302AS3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ISL9N302AS3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ISL9N302AS3ST价格参考。Fairchild SemiconductorISL9N302AS3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ISL9N302AS3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ISL9N302AS3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISL9N302AS3ST 是由 ON Semiconductor 生产的一款 N 沟道功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关效率，适用于需要高效能功率转换的场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器中，如降压（Buck）和升压（Boost）电路，提供高效能量转换。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制，如家用电器、电动工具中的马达驱动电路，具备良好的电流承载能力和热稳定性。 3. 照明系统：用于 LED 驱动电源，支持恒流输出与高能效运行，适合工业及汽车照明应用。 4. 消费电子：常见于笔记本电脑、显示器、充电器等设备的电源模块中，实现紧凑设计与低功耗运行。 5. 工业控制：在工业自动化设备中作为负载开关或电源开关，提供快速响应和可靠性能。 该 MOSFET 采用表面贴装封装（如PowerPAK®），散热性能良好，适合高密度 PCB 设计。其高耐压（30V）和持续电流能力使其在多种中低功率应用中表现优异。结合ON Semiconductor在功率器件领域的技术优势，ISL9N302AS3ST 在提升系统效率、降低能耗方面具有显著优势，是现代电子设备中理想的功率开关元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ISL9N302AS3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11000pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.3 毫欧 @ 75A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 345W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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