ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSS83PE6327
Datasheet下载- 型号： BSS83PE6327
- 制造商： Infineon
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS83PE6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS83PE6327价格参考。InfineonBSS83PE6327封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 330mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载BSS83PE6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS83PE6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BSS83PE6327 是一款P沟道MOSFET，属于表面贴装型小信号MOSFET，常用于低电压、低功耗的开关和信号控制应用。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于采用小型封装（如SOT-363）且功耗低，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和能效要求高的产品中，用于电源管理或信号切换。 2. 电源开关与负载控制：适用于电池供电系统中的电源通断控制，例如在电源路径管理中作为高边或低边开关，控制外设的供电以节省能耗。 3. 逻辑电平转换：在不同电压域之间进行信号电平转换，如将3.3V信号转换为1.8V或反之，常见于微控制器与外围器件之间的接口电路。 4. LED驱动与控制：可用于小型LED指示灯或背光的开关控制，实现精确的亮灭时序管理。 5. 消费类电子产品：如家用电器遥控模块、传感器接口、无线模块（Wi-Fi、蓝牙）的电源控制等，发挥其响应快、驱动简单的优势。 BSS83PE6327具有低阈值电压、低导通电阻和良好的热稳定性，适合高频开关操作。同时，其符合RoHS环保标准，适用于自动化贴片生产。总体而言，该器件适用于需要小型化、低功耗和高可靠性的中低端功率控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSS83PE6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 80µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 78pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 330mA，10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 其它名称 | BSS83PE6327INCT |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 330mA （Ta） |
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