Datasheet下载- 型号： IRF9Z30
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z30由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z30价格参考。VishayIRF9Z30封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF9Z30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9Z30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRF9Z30是一款P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 开关电源：IRF9Z30常用于开关电源中的高压侧开关，能够快速切换电路状态，实现高效的电压转换和调节。 2. 负载开关：在需要控制负载通断的场景中，该器件可以用作电子开关，适用于电池供电设备、便携式电子产品等场合。 3. 电机驱动：由于其低导通电阻和高耐压特性，IRF9Z30适合用于小型直流电机的驱动电路，可有效控制电机的启停和转速。 4. 逆变器：在逆变器电路中，IRF9Z30可以作为功率开关元件，将直流电转换为交流电，广泛应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等领域。 5. 保护电路：利用其快速响应和低损耗特点，IRF9Z30可用于过流保护、短路保护等电路设计，确保系统安全运行。 6. 音频功放：在某些音频放大器中，该MOSFET可用作输出级开关或驱动元件，提供稳定的电流输出以驱动扬声器。 7. 汽车电子：IRF9Z30具备良好的耐高温性能，适用于汽车电子系统中的各种开关和调节功能，如车灯控制、电动窗驱动等。 总之，IRF9Z30凭借其出色的电气特性和可靠性，在工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等多个领域都有广泛的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V 18A TO-220ABMOSFET P-Chan 50V 18 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9Z30- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9Z30IRF9Z30 |
| Pd-PowerDissipation | 74 W |
| Pd-功率耗散 | 74 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 64 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 9.3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF9Z30 |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 74W |
| 功率耗散 | 74 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 140 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 50 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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