ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - JFET > MMBFJ108
Datasheet下载- 型号： MMBFJ108
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ108由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ108价格参考￥1.00-￥1.20。Fairchild SemiconductorMMBFJ108封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 25V 350mW Surface Mount SuperSOT-3。您可以下载MMBFJ108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBFJ108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBFJ108是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于小信号JFET，常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其典型应用场景包括： 1. 前置放大器电路：由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性，MMBFJ108广泛应用于音频前置放大器、麦克风放大器和传感器信号调理电路中，可有效提升信号的信噪比和保真度。 2. 模拟开关与调制电路：该器件可用于构建低失真的模拟开关或电压控制电阻电路，适用于信号切换、自动增益控制（AGC）等场合。 3. 振荡器与射频电路：在高频小信号应用中，如RF振荡器、调谐放大器等，MMBFJ108凭借其良好的高频响应性能，适合用于通信设备中的小信号处理。 4. 恒流源设计：JFET可作为简单而稳定的恒流源元件，用于偏置电路或为其他有源器件提供工作电流。 5. 教育与实验电路：因其参数稳定、使用简单，也常用于电子工程教学实验中，帮助学生理解场效应管的工作原理。 MMBFJ108采用SOT-23小型封装，适合空间受限的便携式电子设备，如手持仪器、音频设备和通信模块。总体而言，它是一款适用于低功耗、高性能模拟信号处理的通用型N沟道JFET，特别适合对噪声和输入阻抗有较高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 25V 350MW SSOT3JFET N-Channel Switch |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBFJ108- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBFJ108 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 Ohms |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 25 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 10 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 3V @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 80mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SuperSOT-3 |
| 其它名称 | MMBFJ108CT |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 8 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
| 电阻-RDS（开） | 8 欧姆 |
| 系列 | MMBFJ108 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 25 V |
| 闸/源截止电压 | - 10 V |
| 零件号别名 | MMBFJ108_NL |
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