ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD16323Q3C
Datasheet下载- 型号： CSD16323Q3C
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16323Q3C由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16323Q3C价格参考。Texas InstrumentsCSD16323Q3C封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 21A（Ta），60A（Tc） 3W（Ta） 8-SON-EP（3x3）。您可以下载CSD16323Q3C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16323Q3C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16323Q3C是德州仪器（Texas Instruments）生产的一款N沟道MOSFET，属于超小型封装的功率MOSFET器件，广泛应用于对空间和能效要求较高的电源管理系统中。该器件采用1.8mm × 1.4mm SON-6封装，具备低导通电阻（RDS(on)典型值约5.3mΩ）和低栅极电荷，适合高频开关应用。 其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电池管理与负载开关，用于高效控制电源通断；在同步降压转换器（Buck Converter）中作为高边或低边开关，提升转换效率；适用于DC-DC转换模块，尤其在空间受限的高密度电路板设计中表现优异；还可用于热插拔控制器、LED驱动电路以及各类低电压、大电流开关电源系统。 由于CSD16323Q3C具有优异的热性能和电气性能，能够在较小封装下实现高效散热和低功耗运行，因此特别适合追求小型化与高效率的现代电子产品。此外，其符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，适用于自动化生产流程。总之，该MOSFET在消费电子、工业控制及通信设备的电源管理单元中具有广泛应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 60A 8SON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CSD16323Q3C |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 24A，8V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 供应商器件封装 | 8-SON 裸露焊盘（3x3） |
| 其它名称 | 296-28096-6 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16323Q3C |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Ta）， 60A （Tc） |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
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